弘模半导体技术(上海)有限公司是一家由总部位于法国波尔多XMOD TECHNOLOGIES投资的公司, 主要给半导体行业提供器件测量和器件建模，工艺器件性能等咨询服务，使芯片设计公司和半导体厂实现无缝连接，减少设计/工艺轮回时间，有特殊需求的器件，如超高温(300度)，超低温(20K)，超高频(700GHZ)，高压(700V)，低功耗，防辐射等提供私人定制模型。目前服务对象有半导体厂，芯片设计公司和科研院所，并通过和各方紧密合作，弘扬国内模型产业文化，积极推动集成电路产业的快速发展。   

 

器件模型的测试结构设计：高端高性能产品的更多研发，对模型的精确度以及定制服务提出越来越多的要求。你是否碰到半导体厂提供的PDK不在所需要的温度范围，频率范围，和流片的结果不匹配，新开发的器件需要新模型或者希望重新评估半导体厂的器件模型，那么弘模半导体可以为贵公司私人定制，流程请参考右边的图片。 

 

 

超高温，超低温，低功耗，高压模型：提供从20K (-253°C) 到573K (300°C) 延伸温度范围的所有标准半导体厂PDK。通过高低温晶圆上测量或封装器件在高低温恒温器下测量，建立模型 (包括不匹配，边界模型, Monte carlo模型，1/f噪声，可扩展等)。应用分别于红外成像，航天航空，汽车电子，工业钻井记录等电子系统， 同时提供工业界所需要的极低功耗 (低电流和/或低电压) 模型的精确测量和建模 (大多CMOS基于在亚阈值操作，漏极电流对栅极电压的强非线性依赖)。对LDMOS，III-V等高压器件提供PULSE测试和研究各种物理现象，定制模型。 

 

高频器件模型：提供针对几GHz到毫米波范围的射频应用( 70GHz的汽车雷达，高速DAC/ADC， 光纤驱动器的40Gb/s 及以上，60GHz的无线通信，太赫兹成像等)。S-参数测量能力从DC到110GHz，提供在测量系统，校准和解嵌方面的服务和KNOW-HOW。提供RFCMOS，CMOS SOI，SiGe BiCMOS(右图为S参数测量和仿真结果，200 GHz fT) 和化合物半导体III-V器件(砷化镓，磷化铟，氮化镓等)的器件模型。提供3DEM电磁仿真，应用于复杂结构，如HF probes，Inductors， Baluns，LC tanks， IC parasitic等。

 

 

支持的工艺, 模型和仿真软件：CMOS， SOI，HVMOS ，DMOS，BCD，SiGe BiCMOS，III-V 器件比如GaN， InP，GaAs 等. 模型有BSIM3/4/6，EKV， PSP103，BSIM/PSP SOI， HiCum，VBIC， Mextram，HVMOS， 宏模型, 客户定制VerilogA模型， Angelov，Spice diode， Juncap 等。支持Spectre/ADS/Eldo/Hspice仿真。提供DFY，DFM的统计模型。 

 

软件和培训：自主SMACH软件，支持多模型/多器件的参数提取的工具包，可以实现准确的紧凑模型外，特别提供公司自主开发的scalable Bipolar的模型和HBT模型，并由资深的模型专家提供专业的软件和器件模型培训。如有特殊需求，请参考下面的联系方式。