用于脉冲式X波段雷达的氮化镓功率放大器

Matched GaN PAs for Pulsed X-Band Radar

Sumitomo Electric公司最近推出了两款用于X波段雷达的氮化镓功率放大器，型号为F514和F501。F514的饱和输出功率典型值是350W（＞55dBm），附加功率效率为40%，在9.2-10.1GHz频段的功率增益为10dB，匹配阻抗为50Ω，这款内匹配FET（IMFET）氮化镓微波功率晶体管是对Sumitomo Electric原有的50W、100W及200W IMFET系列产品的扩展和补充。这款氮化镓微波功率晶体管采用扁平的气密封结构，可以保证在恶劣的环境中具有最高可靠性。

F501是一款小型的、表面贴装结构的混合模块功率晶体管，它可作为功率放大器（PA）用于相控阵雷达或者给更大的功率放大器作驱动模块。这款两级驱动、内部匹配的功率放大器的饱和输出功率典型值大于30W（45dBm），附加功率效率为38%，在8.5-10.1GHz频段的功率增益为23dB，这款功率放大器也采用气密封封装。

作为一个GaN技术商业化的先行者，Sumitomo Electric公司已经向人们证明了GaN是一种可靠的半导体技术，可广泛应用于雷达上。GaN的高功率密度使得雷达系统在提高发射功率的同时，还能减少尺寸和重量。随着雷达发射功率的提高，其对目标的预警探测覆盖范围得到了更进一步的拓展。 （译者：郑岳忠）

Sumitomo Electric Device Innovations

San Jose, Calif.

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