RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）宣布，已确保了其针对第
二代超高效率功率放大器系列的参考设计方案的成功。该新参考设计方案主要针对高度集成的多模式、多
频段 3G/LTE 解决方案。

RFMD 蜂窝产品组 (CPG) 总裁 Eric Creviston 说：“我们非常高兴能够扩展我们与这个顶级芯片供
应商的关系，其设计包含了我们的超高效率 3G/4G 功率放大器。RFMD 正为我们的共同客户提供高性能
3G/4G 交换器及其相关方面系列产品支持，我们期待我们对 3G 和 LTE 参考设计的参与程度的增加能为
我们带来增量增长机会。”

通过延长电池寿命和降低智能手机中数据使用的热影响，RFMD 的第二代超高效率 3G 和 4G LTE 功率
放大器可提供更佳的用户体验。该产品系列目前覆盖了 WCDMA 频带 1、2、3、4、5 和 8 以及 LTE 频带
4、7、11、13、17、18、20 和 21，因此涉及了最常用的 UMTS/HSPA+ 频带和频带组合。在 2012 年上半
年，我们还将推出其他多模式、多频段 (MMMB) 和单模式 LTE 的型号。