美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布推出用于大功率航空交通管制(air traffic control, ATC)、二次监视无线电 (secondary surveillance radio, SSR)应用的射频(RF)晶体管系列中的首款产品1011GN-700ELM。SSR用于发送信息至装备有雷达应答器的飞机并收集信息，允许航空交通控制系统识别、跟踪和测量特定飞机的位置。美高森美新型700W峰值1011GN-700ELM器件的工作频率为1030MHz，并且支持短脉冲和长脉冲扩展长度信息(extended length message, ELM) 。新型晶体管基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC) 技术，这项技术特别适合大功率电子应用。

 美高森美公司RF集成系统产品部门副总裁David Hall表示：“我们积极推进下一代GaN on SiC功率器件的开发，把握不断增长的更高性能航天和军事应用的机会。通过发布新产品，我们现在提供功率为250、500和700W的高可靠性GaN on SiC晶体管，用于二次监控雷达搜索和跟踪应用。我们还在研发多个其它GaN on SiC晶体管产品，将于今年稍后时间推出。”

 美高森美即将推出的产品包括多个用于L，S和C波段雷达系统的高脉冲功率GaN on SiC晶体管，还提供一整套GaN微波功率器件，包括S波段雷达型款：2729GN-150，2729GN-270，2731GN-110M，2731GN-200M，3135GN-100M，3135GN-170M，2735GN-35M和2735GN-100M。正在开发的数款新产品包括用于涵盖960-1215 MHz的L波段航空电子产品；涵盖1200-1400MHz的L波段雷达，以及涵盖2.7-2.9 GHzS波段雷达的较大功率器件。

 关于1011GN-700ELM RF晶体管

 1011GN-700ELM晶体管具有无与伦比的性能，包括700W峰值功率，21dB功率增益，以及1030 Mhz下70% 漏极效率，以期降低总体漏极电流和热耗散，其它的主要产品特性包括：

 短脉冲和长脉冲间歇模式:    ELM = 2.4 ms, 64%和6.4% LTD

• 出色的输出功率:               700W
• 高功率增益:                       >21 dB最小值
• 受控的动态范围:               增量1.0dB，总计15 dB
• 漏极偏压 - Vdd:                   +65V

 使用GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)实现的系统优势包括：

 采用简化阻抗匹配的单端设计，替代需要附加合成的较低功率器件

• 较高峰值功率和功率增益，用于减少系统功率放大级数和最终功率级合成
• 单级配对提供带有余量的1.3kW功率，四路结合提供4 kW的总体系统功率
• 65V的高工作电压，减小电源尺寸和直流电流需求
• 极高的稳健性，提高系统良率
• 放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS工艺器件减小50%

 封装和供货

 1011GN-700ELM以单端封装形式供货，采用100%高温金(Au)金属化和焊锡密封引线，实现长期军用可靠性。美高森美可借出演示单元供客户使用数周，但鉴于产品成本的缘故，不会提供免费的样品。