国内首家商用氮化镓（GaN）电子器件生产企业，苏州能讯高能半导体有限公司（Dynax Semiconductor Inc.）发布了新型氮化镓微波功放晶体管产品。这款产品将助力通讯系统设备制造商，针对当下热门的LTE移动通讯市场，提出更高效、更具性价比的解决方案。

与以往的LDMOS和GaAs相比，GaN功放管在功率密度、工作带宽和效率方面具有无与伦比的优势。这也使得GaN在移动互联网、卫星通讯、有线电视等等领域有着良好的市场前景，被业界认为射频功率器件的未来。

能讯半导体总裁张乃千博士指出：“公司一直致力GaN微波功放晶体管的研发与制造，我们相信GaN功放管的宽频带、高线性度和高效率等优异特性，能够为客户带来价值。”能讯半导体本次推出的这款产品为DX1H2527150F内匹配微波晶体管，其工作频率范围为2.5—2.7GHz，供电电压为48V，饱和功率为200瓦。 在WCDMA（带DPD）测试条件下，其输出功率达40W， ACLR小于-50dBc，效率高达33%。

该款产品是针对4G移动通讯的LTE基站应用而量身打造的，拥有杰出的线性度、效率和功率密度，采用这款产品实现的Doherty放大器表现出了非常优异的性能指标。得益于能讯公司先进的设计和优良的工艺，产品多项指标处于业界领先地位。同时，能讯公司承诺为客户提供及时响应、深度协助、提升竞争力的服务标准，为客户提供完整成熟的解决方案和充分的应用技术支持。