软件进一步提高了建模、表征效率，支持最新的高级模型，显着提升测量速度

新闻要点：

·           IC-CAP为建立GaN和GaAs HEMT模型提供完整的DynaFET系统解决方案，同时大幅提升测量速度

·           MBP支持用于FDSOI技术的BSIM-IMG模型

·           MQA为混合SPICE语法和16-nm TSMC建模接口（TMI）程序库提供支持

2016年3月11日，北京――是德科技公司（NYSE：KEYS）日前宣布，推出最新版本的器件建模和表征软件套件：集成电路表征和分析程序（IC-CAP）2016、模型建立程序（MBP）2016和模型质量检验（MQA）2016。该软件版本通过在建模和表征效率方面的改进，使设计师能够表征并建立半导体器件模型。

IC-CAP 2016

是德科技的IC-CAP 2016软件是一个可为当今半导体建模工艺提供强大表征与分析能力的器件建模程序。IC-CAP 2016提供了完整的DynaFET系统解决方案，用于为功率放大器（PA）应用中使用的GaN和GaAs HEMT建模。IC-CAP包括测量和建模软件，以提取先进设计系统（ADS）DynaFET－一个自行开发的GaAs和GaN HEMT器件模型。

ADS DynaFET模型的关键优势是其能够精确预测由于热量和捕获现象所造成的动态记忆效应，这一成果反之又能为预测增益和功率增加效率（PAE）提供前所未有的精度——二者均为射频PA电路设计中的关键品质因数。专用测量软件可使用是德科技非线性网络分析仪（NVNA）收集大信号数据。这些波形代表着在不同的射频功率、偏置点和输出阻抗处所测得的动态负载线，然后直接加载至IC-CAP 2016的提取包。这一模型使用人工神经网络（ANN）来提取，并可直接在ADS软件中使用。

IC-CAP 2016的另一关键特征是为是德科技E5270、B1500A和B1505A仪器驱动程序提供和之前版本相比达三倍的测量速度的改进。这一速度的提升有助于缓解必须要以极高精度测量大量数据所面临的挑战；该过程在此前是一个极为耗时的过程。IC-CAP 2016还增添了新的仪器驱动程序以支持是德科技E4990阻抗分析仪和E5061B网络分析仪。

MBP和MQA 2016

是德科技的MBP 2016是一个可为大批量、高吞吐量器件建模提供自动化和灵活性的一站式解决方案，同时MQA 2016为无晶圆设计公司、IDM公司和代工厂提供了完整的解决方案和框架，以进行SPICE模型库验证、比较和报告生成。MBP 2016的提取包已经过更新，可支持业内标准的BSIM-IMG版本102.6。为支持全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）技术——一项用于28nm以下节点的主流技术，是德科技正致力于为Leti-UTSOI模型开发建模技术。

是德科技器件建模规划经理Roberto Tinti表示：“我们将继续对器件建模平台进行投资，尤其是关注效率和DynaFET和FDSOI建模等新兴技术。我们的目标是帮助建模工程师在更短时间内生成高质量的模型。我们还将继续与是德科技研发实验室和全球合作伙伴协作，为我们平台上的先进技术开发成套建模解决方案。”

MBP 2016还推出了专为进一步提高日常建模效率而全新设计的corner模型生成模块。该模块整合了所有必要的组件以进行手工调节或自动优化，包括预定义拟合目标和查看图表等。

随着技术节点越来越小，SPICE模型库变得日益复杂。MQA 2016可为先进的16nm TSMC建模接口（TMI）库和混合SPICE语法提供更好的支持。此外，MQA 2016支持64位操作系统，这使该软件适合加载和管理大型模型库和数据。