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作者:侯世淳schou18@163.com、韩冰id22soso@163.com1 引言 通信技术的发展和数字调制方式的日新月异,给线性功率放大器提出了越来越高的要求。数字调制方式给功放引入了峰均比指标。比如OFDM要求10dB的峰均比,就是说,功放输出平均功率10W时,其峰值线性输出功率高达100W,这需要高功率放大器来实现。 高功率放大器需要做的工作是: 1) 提高效率,降低功耗; 2) 设置完备的保护电路,防止内外因造成的异常状态,烧毁放大管; 3) 认真做好热设计, 提高放大管的可靠性; 4) 为降低连接损耗,将收发开关和功放做在一起。 提高效率,除了在电路设计中合理设计匹配电路外,需要使用高效率高增益的放大器件,用较少的放大器级数达到要求指标。 设置保护电路的关键,是采用反应速度快的传感器和控制电路,及时采样、判别和动作,保护放大管。 良好的热设计是确保功放可靠性的关键,必须尽量减少和降低热路的热阻。 高功率收发开关必须使用合适的功率PIN管、良好的散热和开关驱动电路。 本文通过200W功率放大器/收发开关组件的设计和制作,叙述了解决这些问题的考虑,最终给出电路测试性能。 2 设计方案图1是200W功率放大器/收发开关组件的设计方案。输入端设置线性模拟衰减器,衰减范围40dB,可用
图1 200W功率放大器/收发开关组件框图 0-5V直流电压连续控制放大器的增益(即输出功率)在40dB范围内变化。放大链路由三级放大器构成。总放大量约50dB,输出线性功率大于200W。输出定向耦合器监测输出功率,RF监控输出端输出比主通道低50dB的射频信号,另外功率检测器输出对应射频输出功率的检波电压。谐波滤波器抑制输出谐波信号,确保谐波输出低于-60dBc。收发开关及驱动电路高速切换收发通道,并确保发射通道与接收通道的隔离,防止发射功率烧毁接收机。 保护电路包括:过温保护、过流保护和过载保护。过温电路监测电路的温度,当温度达到设定温度时,切断功放电源;过流保护监测末级放大器的漏极电源电流,当电流到达设定值时,切断功放电源;过载保护电路监测放大器输出端的电压反射系数,当放大器负载的反射系数(不是反射电压)达到设定值后,切断电源,防止放大管被烧毁。同时,控制电路中还设置了发射机连锁保护,即功率放大器必须同时得到收发开关的“开”和功放开关的“开”指令后,才能加电工作;但只要收发开关“关闭”或功放开关“关闭”指令中,有任何一个出现,就会关闭放大器。 3 电路设计3.1 放大链设计根据输出功率和增益指标要求,选用高增益放大器件,构成放大链,图2是放大链路的功率预算方案【1】。
图 2 . 功率放大器的功率预算 采用三级放大器构成放大链路。第一级增益级采用InGaP HBT通用放大器;第二级推动级使用常规MOSFET管放大器;第三级末级功率放大级选用高增益推挽LDMOS FET管放大器。
图 3 . 放大链电原理图 第一级是MMIC放大器芯片,无需设计匹配电路。第二级和第三级选择非匹配FET管,需要设计输入输出和级间匹配电路,以达到功率预算设置的技术指标。 使用设计软件,对放大器电路进行仿真优化,以及改进调整,再仿真优化,最终得到电路拓扑,见图3。 3.2 功率监测与反射监测电路设计电路配置见图4。在功率放大器输出端接耦合度为-30dB的定向耦合器,耦合端4提取一部分功放输出功率Pin,耦合端3提取来自输出端的反射功率Pr。提取的功率经衰减后进入双通道功率检测器。
图 4 . 功率监测与反射监测电路框图 4端的信号经幅度调整后一部分以低于主通道信号50dBc的幅度,从射频监测端输出;另一部分进入双通道检测器(图5)A通道,在这里,一部分信号经RMS检测器,输出检波电压。该电压正比于对数输入功率(即dBm),用于功放输出功率监测和控制。另一部分信号进入差分放大器的同相端IN+。由组件输出端反射回来的功率Pr,即负载失配造成的输出功率反射波,经耦合器耦合, 从3端输出,通过
图5 . 双通道功率检测器 幅度调整到达双通道检测器的B通道,经RMS检测器到达差分放大器的反相端IN-。定向耦合器要有足够的隔离度,确保在4端口的输出功率取样与在3端口的反射功率取样各自独立。由于RMS检测器的输出电压与功放输出功率(dBm)成线性关系,检测器内的差分放大器将A通道电压Uo和B通道电压Ur做差分放大,输出电压: U = k (Ur-Uo) 由于两RMS检测器输出电压与功放输出功率的对数关系,该输出电压就是反射系数Γ,通过反射系数与电压驻波比VSWR的关系:
双通道检测器的差分输出电压就是VSWR。图6是双通道检测器在880MHz频率,两路RMS检波输出信号与输入功率的关系,以及线性误差。可见检测器在约50dB的动态范围内有很好的线性特性。
图 6 .双通道检测器输入功率/输出电压等关系 3.3 谐波滤波器谐波滤波器是一只低通滤波器,对工作频率的二次谐波有足够的抑制度。考虑到高功率工作,在满足指标条件下,尽量减少级数,降低损耗,实际电路用集总LC电路实现。见图7。
图 7 . 谐波滤波器 3.4 高功率TR开关高功率收发开关由收发开关射频电路,高压电源和开关驱动器构成【2】,用于切换发射和接收通道。在发射时要确保有足够的收发隔离,保护接收机不被发射功率烧毁;在接收时,确保有低插损,降低接收噪声。高压电源为开关管提供足够的反向偏压,防止发射时的射频高功率使接收支路的开关管导通。驱动电路将TTL开关控制信号转换为一定驱动功率,快速转换开关管的工作状态,达到切换收发通道的目的。 3.4.1 高功率TR开关使用功率PIN二极管做开关器件,控制射频高功率。TR开关的原理图见图8。发射支路采用一只串联管,降低插损,接收支路使用串、并联四管电路,提高收发隔离度,同时确保较低的插损。
图8 . 高功率TR开关 开关的高功率部分是TR开关组件,见图9,使用薄膜电路和微组装工艺制成。开关管芯片直接安装在薄膜电路上,用金带引线与电路互连。实测TR开关组件可以在300W射频功率下正常工作。电路的发射通道插损小于0.5dB(包括谐波滤波器),接收通道插损典型值小于0.5dB,收发隔离优于70dB。
图 9 . TR开关组件 3.4.2 高压电源高功率收发开关在工作时,PIN管上有直流控制电压和射频电压。在发射状态,接收通道的串联PIN管必须处于反偏状态,射频高功率产生的电压摆动不能使PIN管出现正向导通。经计算,设定PIN管反偏电压为100V时,可以确保收发开关在最高射频功率下安全工作。
图 10 . 升压开关电源 采用TPS40210 Boost控制器制成升压开关电源,见图10,为PIN管提供高压偏置,输出电压100V,效率95%以上。 3.4.3 开关驱动器开关驱动器的作用是将输入TTL控制信号,转换为PIN管正常工作所需的正向电流(60-100mA)和反向电压(100V),并且要确保PIN管开关的切换速度满足指标要求(小于20us)。
图 11 . 单路开关驱动器 图11是单路开关驱动器原理图,当TTL控制信号为高电平时,驱动器输出-5V正向偏压,开关PIN管导通;当TTL信号为低电平时,驱动器输出+100V反向偏压,开关PIN管截止。 TR开关用两路驱动信号,一路A另一路B,互为反向。用一路TTL信号,经反向器(非门)分别控制两路驱动器,从而控制收发开关工作。图12是两路驱动器输出端的开关驱动信号波形。
图12 收发开关驱动器驱动信号波形 3.5 功放保护电路保护电路的作用是在由于内外因引起放大器工作状态异常时,切断电源,保护放大管免于烧毁。另外还防止放大器异常开机,烧毁其它电路,比如接收机。 保护电路可以使用传感器、微处理器和控制程序实现,但这种方法的反应速度较慢。我们采用传感器、运算放大器和逻辑电路实现,当出现异常时,可以非常迅速地启动保护电路,有效保护了放大管。 功率放大器电路选用增强型FET管,需要在栅极施加高于门限电压的栅压后,放大管才能工作。所以,利用控制栅压的方法,控制放大器的工作与否。保护电路启动后,切断栅压,也就关闭功放。 3.5.1 过温保护电路当功放的工作状态异常(比如散热不良),使功放温度不断上升,达到设定最高工作温度时,启动保护电路。过温保护电路有温度传感器器、判别电路和功放控制电路构成,见图13。温度传感器置于末级放大管附近,便于及时感知主热源的温度,迅速控制。判别电路是一个比较器,当传感器输出电压(对应温度)高于设定的参考电压时,比较器翻转,输出反极性电压(低电平),功放控制电路动作,切断功放电源。
图 13 . 过温保护电路 3.5.2 过流保护电路过流保护电路框图见图14。功放的44V主电源通过霍尔电流传感器给放大器供电,传感器感知并输出
图 14 . 过流保护电路 与通过电流成比例的电压,判别电路将这一电压与设定电压(与最大工作电流对应)做比较。当功放的工作电流超过最大允许电流时,判别电路的比较器翻转,功放控制电路工作,切断功放电源。 3.5.3 过载保护电路过载保护指功放负载过载(强失配)保护。因为出现强失配时,大部分输出功率被反射回功放,末级管输出端的射频电压有可能加倍,造成放大管烧毁。在低功率时,虽然放大管不会被被烧毁,但系统处于异常状态,也不能正常工作。
图 15 . 过载保护电路 在3.2节已叙述,图4电路可以监测功放组件负载的VSWR,将图15中双通道检测器的VSWR输出电压接判别电路,在这里与参考电压(最大允许VSWR)比较。如果外电路失配超过最大允许VSWR,判别电路比较器翻转,功放控制电路切断功放电源。 3.5.4 保护电路设置及连锁保护电路这是一个逻辑电路,见图16。三个保护电路的输出接或门输入,正常工作时,三个保护电路输出高电平,或门输出高电平,如果功放开关信号ONOFF和TR开关切换信号PTT均为高电平,与门输出高电平,栅极驱动器输出高电平驱动电压,功放管导通工作。如果出现异常,只要有一个保护状态出现,或门输出拉低,则与门输出也拉低,栅极驱动器输出拉低,放大管关闭。图中保持电路作用是保持保护状态,因为保护状态启动后,故障状态消失,会出现再次启动功放现象。保持电路维持故障状态,直到排除故障后,切换一次TR开关状态,电路才复位。
图 16 . 保护控制逻辑图 与门的三个输入,只要有一个是低电平(异常),与门就输出低电平,栅极驱动电路输出拉低,功放不工作。所以必须在功放开关指令和TR开关指令同时存在时,才能打开功放,防止功放异常开启,烧毁接收机现象出现。 这种保护电路的反应速度很快,实测从判别电路启动(以过流保护为例),到栅极驱动电路拉低栅压,切断放大器电流,只用1us时间,见图17。图中Over-current是过流保护判别电路的输出,protect是图16中与门输出,VGS是栅极驱动器输出。当电路出现异常状态,只要功放管能支撑1us时间不烧毁,保护电路就可以启动保护。
图 17 . 过流保护时序 4 电磁兼容设计和热设计所有电子设备和电路都应考虑电磁兼容和热设计问题。对于高增益和高功率电路,尤为重要。 4.1 电磁兼容设计在放大器电路中,元器件之间的互耦,电源线去耦不足以及空间耦合传播的影响,轻者造成电路特性变化和不稳定,重者引起电路自激,甚至烧毁放大管。腔体屏蔽不好还会产生电磁泄漏,影响外围其它电路的正常工作。所以做好电磁兼容设计非常重要。 在设计和电路排版时,我们充分考虑到相邻或非相邻电路的互耦,以及电源的去耦滤波,同时将各级放大器放在独立的腔体中。参考图18,第一级放大器与第二级放大器之间的功率电平不高,所以用简单的开口(图18中篮圈1)连接两级电路。第二级放大器与第三级以及第三级放大器输出,由于功率较大,都是用小开口连接两个腔体(图18中篮圈2和3),尽量降低腔体之间的互耦。电源控制板与射频板之间的电源与控制线用穿心电容连接。 4.2 热设计200W功放在额定输出功率时的总效率优于46%,这样就有约64%的功率即280W的直流功率变成了热,当输出功率低时,效率更低。所以,电路热设计的好坏直接影响到电路电性能和可靠性。末级放大管是高增益LDMOS管,也是电路的主要热源,其次是TR开关和推动级放大管。功放的腔体材料是铝合金,具有重量轻,成本低和导热性好的特点,广泛用于各种电子电路的盒体材料,其导热率约220W/m·K,但铜的导热率高达398W/m·K,比铝合金高出近一倍。所以我们局部使用铜底座,同时用锡焊料将放大管直接焊在铜底座上,大大降低了FET管芯片与散热器之间的热阻,确保放大管在工作时能够迅速导出产生的直流功耗,芯片能在安全的结温下工作,充分发挥其能力,提高了电路的可靠性。 5 电路性能测试图18是功放/收发开关组件的照片。电路的各个部分用隔板分隔,共有7个隔腔。分别是:第一级放大器(红框1)、第二级放大器(红框2)、第三级放大器(红框3)、谐波滤波器和TR开关组件(红框4)、功率监测和VSWR监测(红框5)、TR开关及开关驱动器(红框6)和电源控制电路(红框7)。射频输入端口在左面,射频输出端口、接收端和射频监控端在右面,电源和控制端口在上左面。 电路的主要性能(见图19)如下: 小信号增益: 优于49dB 增益起伏: < ±0.6dB 输出功率1dB压缩点:> 53dBm 效率(额定输出功率):> 46% IM3(双音输出功率各为50dBm):≤-19dBc 接收插损(典型值): ≤ 0.5dB
图 18 . 200W功率放大器/收发开关组件 收发隔离: > 70 dBc 增益控制量: > 40 dB 谐波输出: < -60 dBc 功放开关速度:≤ 20us (53dBm输出时) 电路的过温、过流和过载保护电路工作正常。过载保护与负载的匹配状态相关,与输出功率无关。
图19 . 200W功率放大器/收发开关组件特性 图20是电路在中心频率处的输出功率-监测检波电压特性。
图 20 . 输出功率-功率监测检波电压特性 图21是电路在中心频率处的增益-控制电压特性也就是输出功率受控特性。
图21 . 增益-控制电压特性 6 结论简述了P波段200W功放/收发开关的设计和测试特性。介绍了高功率射频电路的设计要点和注意事项。测试结果表明电路基本达到设计要求,如果精心调试,可以进一步提高性能。由于本电路有高电压(相对GaAs器件)和大电流,在设计时对各部份的匹配、功耗和散热要仔细处理,电路涉及微波混合集成PCB电路、薄膜电路、射频微组装、开关电源和逻辑控制电路等技术,是一项综合性技术。原计划将预失真电路做在一起,可以提高放大器的线性特性,在图18电路结构中预留了位置。这也是我们下一步要做的工作。 7 感谢 在电路研发过程中得到一些同事的无私帮助,在此表示谢意。感谢黄培雄高工对开关驱动电路提出有益的建议,解决了驱动器控制问题;感谢邱胡振工程师对TR开关高压电源做了关键性的调整,使电源正常工作,研发工作才得以顺利进行。 8 参考文献 [1] Edited by John L.B. Walker ,《Handbook of RF and Microwave Power Amplifiers》,CAMBRIDGE UNIVERSITY PRESS ,2012. [2] J . F. 怀特 著, 王晦光, 黎安尧等译, 《微波半导体控制电路》 科学出版社 ,1983.
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