飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前宣布了一项重大举措，主要展示其新型和现有商用RF功率和微波RF器件如何满足美国航空航天和国防(A&D)市场的需求。

 飞思卡尔计划通过全新的氮化镓(GaN) RF功率晶体管产品、经过验证的400多个LDMOS RF功率晶体管和砷化镓（GaAs）单片微波集成电路(MMIC)产品支持广泛的A&D应用。这些飞思卡尔产品将由主攻A&D市场和客户的一个由专业人员组成的专门团队提供支持。

 飞思卡尔高级副总裁兼射频业务部总经理Ritu Favre表示：“飞思卡尔拥有60多年的RF功率创新和经验，我们希望将业务重点从我们领先的RF功率晶体管领域延伸至不断增长的A&D市场。飞思卡尔长期以来一直在与客户密切合作，共同创建经济高效的解决方案，这些解决方案结合了精湛的性能、久经考验的可靠性和极强的耐用性，A&D设备制造商将从中获益匪浅。”

 根据分析机构ABI Research的调查，到2018年面向全球国防市场的RF功率器件（4 GHz以下，4 W输出以上）的销售总额将达到1.44亿（美元）。

 ABI Research的RF器件研究总监Lance Wilson表示：“多年来，飞思卡尔一直是面向无线基础设施的RF功率器件领域的市场领先企业。当他们进入包括A&D在内的其他RF功率市场领域时，该经验和专业技术将为其带来极大帮助。”

 RF创新历程：现在面向航空航天和国防

飞思卡尔的RF业务部门（前身是摩托罗拉半导体产品部门的一部分）在RF功率晶体管开发领域拥有60多年的历史和经验，在1952年推出了其首款器件。从那时起，它已成为面向无线基础设施市场的LDMOS RF功率晶体管领域的全球领先企业，每年提供3000多万件产品。飞思卡尔拥有RF功率晶体管市场的唯一设在美国的LDMOS器件制造工厂，并保留了自有的成品生产基地。

 公司的Airfast™ LDMOS器件提供高线性、宽瞬时带宽和先进的塑料封装。面向商业应用进行“强化”的飞思卡尔LDMOS产品非常适合满足A&D的要求，它能够在大于65:1的极端负载失配（VSWR）环境中运行，并具有静电放电(ESD)增强保护。公司推出的LDMOS器件频率范围可扩展至3 GHz以上，RF功率输出可达1250 W。飞思卡尔的GaAs MMIC器件覆盖5 GHz以上的应用，包括增益模块放大器、功率放大器（高达4 W）和具有低至0.35 dB的噪声指数的低噪放大器。飞思卡尔的首款GaN RF功率晶体管计划于2013年年末上市。

 这种独特的经验和世界级技术将由一支专注A&D市场（包括技术和应用支持）的RF专家团队完善。飞思卡尔RF A&D团队由飞思卡尔技术团队的高级成员领导，拥有超过30年的RF功率晶体管经验，包括从设计工程到执行管理。之前他担任飞思卡尔RF功率业务部门的营销总监，在市场、销售和分销领域拥有40年的经验。飞思卡尔产品还将由一支由营销、项目管理、应用、合规性和其他专业人员组成的团队提供额外支持，该团队主攻A&D市场和客户。

 已购面向A&D应用的新产品将包含在飞思卡尔长期供货计划中，供货期至少为15年。