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ST在法国克洛尔(Crolles)制造基地正式启动Nano2017研发项目
录入时间:2013/7/30 19:45:28

意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)近日宣布,法国总理Jean-Marc Ayraul、法国工业部部长Arnaud Montebourg、高等教育与科研部部长Genevieve Fioraso和主管工业部中小企业、技术创新和数字经济的代表 Fleur Pellerin,以及国家、地区和当地政府官员和意法半导体的管理层齐聚意法半导体位于法国格勒诺布尔(Grenoble)近郊克洛尔(Crolles)的制造基地,庆祝Nano2017研发项目正式启动。出席该启动仪式的还有意法半导体在Nano2017研发项目中的主要合作伙伴,中包括 CEA-Leti 实验室和IBM

Nano2017是一个为期五年、由上市公司和私营企业合作的战略性研发项目,意法半导体为项目负责人,汇集众多科研机构和企业,包括世界知名的法国科研实验室CEA-LETI (自意法半导体Crolles制造基地于1992年成立起就开始合作)、多家大学科研小组、材料和设备制造商、供应商和CAD知识产权专业公司、系统集成公司和欧洲的其它利益相关者以及中小企业(SME)。该项目得到法国政府以及欧盟ENIAC联合技术平台计划(Joint Technology Initiative,简称 JTI计划)的大力支持。为该项目融资必须经过欧盟的批准。 

Nano2017项目将加强意法半导体在重要技术领域的领导地位:FD-SOI[1] (低功耗高性能制造工艺)、下一代影像技术(传感器和图像信号处理器)[2] 和下一代非易失性存储器[3]。这些是意法半导体的嵌入式处理解决方案的核心技术。意法半导体嵌入式处理解决方案包括微控制器、影像解决方案、数字消费电子、应用处理器和数字ASIC。嵌入式处理技术主要是在意法半导体位于法国克洛尔(Grenoble)、格勒诺布尔(Grenoble)、卢赛(Rousset)和索菲亚·安提波利斯(Sophia Antipolis)的研发中心研发。关于嵌入式处理解决方案,意法半导体将专注于一个预计将在2013年达到670亿美元的目标市场[4],公司拥有巨大的增长潜力,可望进一步提高市场份额。


[1] FD-SOI (全耗尽型绝缘层上硅)是下一代制造工艺,能够解决晶体尺寸降至10s100s原子极限而引起的大多数挑战。当现有的硅制造工艺技术在28nm及以下时,因为泄漏电流的影响,能效变得越来越低。FD-SOI是一项速度快、散热低且简单的制造技术。

[2] 影像传感器和图像信号处理器的开发成果预计会实现超凡的高能效、安全、便利和健康等应用。梦想拥有一台人离开时会自动关闭屏幕的电视机,能够辨认车主的汽车,能够辨认房主的房子,能够侦测病毒(或病菌)异常发展的医疗设备,随着影像技术不断取得进步,这些梦想都会变为现实。

[3]  嵌入式非易失性存储器(Embedded Non-Volatile Memory, eNVM)是所有系统芯片的重要组件。嵌入式非易失性存储器起到片上程序或数据存储器的作用,系统可以将固件、安全代码、校准数据等应用关键信息安全地保存在嵌入式非易失性存储器内,即便系统掉电时,存储的内容也不会丢失。

[4] 来源:WSTS


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