约2,000名工程师和工程管理人员出席了4月8日至10日在北京国际会议中心举行的第二届电子设计创新会议（EDI CON）。在“清明节”小长假后，与会者们参与了一个完整打包的技术会议，其中包括90篇同行评审论文、40场研讨会和5场小组会议，以及涵盖IC设计、测试和通信领域领先技术的以专家主题演讲为特色的全体会议。本次活动还设有近80家供应商和制造商代表参加的一个展览会，展示了他们针对射频、微波和高速电子设计的最新产品。

第二届EDI CON的3天累计总出席人数为1979人，比上年增长了9％。主办单位报告共有911名与会代表，以及426名参观者，514名参展商（工作人员）和19位受邀媒体记者参加了本次活动。展览空间比前一年翻了一番，参展公司数量增加了50%，使EDI CON成为了专注于中国高频电子设计的一次最大的会议和展会。EDI CON由《华体会体育推荐 》中文版举办，重点是加强在职工程师和研究人员与提供针对电信市场的软件、测试设备、半导体代工服务、集成器件、材料、电缆/连接器和相关元件等商业解决方案行业的紧密联系。

扩大的新闻发布厅举行了几场新闻发布会，几家EDI CON参展商据此向中国媒体介绍了新的和最近发布的产品。我们的编辑在此区域对新闻进行了报道。来自厂商的视频可以在以下链接观看：
中文——参与的公司包括：RFHIC、罗德与施瓦茨、NI（3个视频）、安捷伦（5个视频）
英文——参与的公司包括：NI、安捷伦电子测量事业部、安捷伦电子设计自动化（EDA）软件事业部、安立

EDI CON 2014参展商产品新闻——
ANSYS具有电路仿真特色的HFSS最新版本结合了“具有电路仿真速度和能力的电磁分析精度，提供了一个全面的系统级设计视图”。该公司表示，与电路仿真相结合的HFSS有助于复杂射频、微波以及电子设计，因为设计团队可以在大型系统中研究多个结果，扩大设计的规模和范围。此外，该软件允许级联传输线、连接器、印刷电路板、插座和IC封装互连，支持全面的SI设计。额外的HFSS射频和SI产品选项提供了更先进的电路仿真分析，以及针对射频/微波工程和高性能电子设计应用的特定功能。公司代表也特别介绍了其Apache产品线。
Computer Simulation Technology（CST）最近发布了2014年版电磁仿真工具CST STUDIO SUITE®。最新版本的开发完善了解算器的性能，并增加了针对混合仿真的功能，而无需牺牲可用性。改善网格设置（meshing）是CST STUDIO SUITE 2014开发过程中一个重要的焦点，为的是使网格引擎更高效、更强大和更人性化。无论是六面体和四面体网格都进行了改进，以减少单元格计数并帮助离散复杂或低质量的CAD数据。复杂系统的仿真也得到了改善。场源耦合和多物理场仿真可以使用新的系统装配和建模（SAM）向导来自动设置。SAM允许在一个仿真项目中组合不同解算器，可以用于每次模拟复杂系统的一个元件。
EMSS推出了具有完全集成的时域有限差分（FDTD）和多层快速多极/物理光学（MLFMM/PO）混合解算器的FEKO Suite 7.0，向完整解决方案迈出了新的一步。FEKO方法是在单一授权中提供所有EM解算器，而不是单独授权每个解算器。这拓宽了客户所能够解决问题的范围。这种方法的优点在于，在没有测量时，使用不同解算器的仿真结果之间的良好相关性可以给用户的模型带来信心和确定性。
Pico Technology介绍了他们的20 GHz带宽PicoScope 9300采样示波器，适用于10 Gb/s及以上的数字和电信应用、高达20 GHz微波应用和分辨率下降到64 fs的计时应用。可选的11.3 Gb/s时钟恢复、光电转换器或差分、偏差补偿（de-skewable）时域反射源（40 ps/200 mV或60 ps/6 V）完成了一个强大的、占地面积小、符合成本效益的测量方案。
EMSCAN改造了最快的EMC/EMI诊断系统，帮助高密度电路板设计人员在前期和后期EMC符合性测试期间发现潜在的电磁兼容和电磁干扰问题的根源。ERX+有助于PCB和设计工程师诊断150 kHz和8 GHz之间的EMC/EMI问题，并提供了7个级别的分辨率（120微米至12毫米）。第一级分辨率（7.5毫米）可以让工程师实时发现热点、电流回路或间歇性的问题。在找到意外的发热点后，工程师可以通过选择基于电路板设计密度的分辨率级别来放大这个问题。
飞思卡尔半导体最近推出了采用5V电源供电并提供大于40dB增益的2 W集成功率放大器，以覆盖1500和2700 MHz（MMZ25333B）之间的所有频段。该元件支持任何在该频率工作的蜂窝标准，包括GSM、3G、4G和LTE。该公司最近还推出了一款针对手持式移动无线电应用的新的6 W器件（AFT05MS006N）。凭借最新加入其旗舰Airfast射频功率解决方案的这个系列，飞思卡尔成为了能够支持从5 W手持设备到75 W数字移动无线电和基站等相关移动无线电空间所有功率水平的唯一供应商。
Peregrine Semiconductor在EDI CON 2014展会上宣布UltraCMOS Global 1在大中国区首次亮相，这是业界第一个可重构射频前端（RFFE）系统。通过在单个芯片上集成了RFFE的所有元件，UltraCMOS Global 1提供了一个平台设计——单一的全球SKU——它可以在全球所有地区工作。该系统包括第一个LTE CMOS功率放大器（PA），可满足GaAs技术的性能要求。UltraCMOS Global 1 PA为支持中国近期发牌的TDD-LTE技术网络提供了高频带PA路径。
UltraCMOS Global 1 RFFE系统包括一个3路MMMB PA、后PA开关、天线开关和天线调谐器，支持包络跟踪和常见的RFFE MIPI接口。利用-38 dBc的ACLR（邻信道泄漏比）条件下的WCDMA（语音）波形，UltraCMOS Global 1 PA的性能接近50％的PAE。此外，UltraCMOS Global 1 PA以不同的资源块分配维持了LTE波形的砷化镓（GaAs）等效PAE。达到这种性能水平，而不增强包膜跟踪或数字预失真，这是基准测试有砷化镓功率放大器的CMOS功放时经常使用的。
安立公司推出的VectorStar™ ME7838E矢量网络分析仪（VNA）宽带系统以单一连接提供70 kHz至110 GHz的频率范围。结合了VectorStar ME7838系列宽带系统的所有优点，包括紧凑型毫米（毫米波）模块、一流的稳定性和动态范围、快速的测量速度，ME7838E解决了今天的高速器件表征所带来的挑战。不再需要一个MUX合成器就实现了真正的方向性，从而帮助实现超过24小时0.1 dB改善的测量稳定性。这也减少了必要的校准次数，可提高吞吐率和生产率，同时降低测试成本。由于非线性传输线（NLTL）谐波采样器的集成不需要大的放大，用VectorStar ME7838E可以实现110 GHz条件下出色的109 dB动态范围。集成NLTL技术在较高频率下提供了更高的梳状频率（comb frequency）。ME7838D将工作频率扩展到了145 GHz。
Millitech是第一家参展的毫米波元件公司，随着这类产品的市场不断扩大，它获得了巨大的成功。这些元件采用小型封装的有源上变频器和下变频器，集成了放大器、混频器和滤波器。在50至96 GHz的频带提供了多种配置和频率范围。这些元件也采用了57至86 GHz的Spartan测试模块，提供一个单一测试设置来覆盖V和E频段。模块以VNA和SNAS工作。
美国国家仪器公司最近发布了具有200 MHz RF带宽的NI PXIe-5646R矢量信号收发仪，非常适合最新的无线标准的测试，如IEEE 802.11ac、160 MHz WLAN和LTE Advanced。工程师们可以使用矢量信号收发仪的开源软件设计为频谱分析等多种应用开发信道仿真系统、无线电原型、定制实时信号处理。NI矢量信号收发仪组合了有矢量信号分析仪的矢量信号发生器，以及针对实时信号处理和控制的用户可编程FPGA。利用FPGA的速度、确定性处理和固有并行架构，客户已经看到一些应用测试时间10倍到100倍的提升，如功率放大器测试中的功率伺服。该矢量信号收发仪建立在NI LabVIEW RIO架构之上，结合了编程灵活性和最新射频硬件，彻底改变了移动技术测试。通过250 MS/s的采样速率，NI PXIe-5646R提供了200 MHz复杂带宽，其大于标准LTE无线帧数据速率8倍。这使得该矢量信号收发仪非常适合于诸如数字预失真和包络跟踪的最新设计或测试技术。
MACOM的重大发布是此次活动之前的基于硅技术的氮化镓知识产权授权计划。MACOM详细介绍了两个领域的最新进展，这实现其使GaN成为整个行业一种大型射频半导体技术主流的愿景至关重要。作为第一步，MACOM宣布了一项授权和外延晶圆供应协议，这将有助于全球最大的化合物半导体外延供应商IQE公司针对大批量射频应用以4、6和8英寸直径制造氮化镓上硅（GaN-on-Silicon）外延。此举有望让MACOM以主流8英寸硅成本结构提供具有突破性带宽和效率的GaN射频产品。此外，MACOM还宣布，它正在积极讨论，使氮化镓上硅技术可供选择RF应用的公司使用。MACOM认为，建立这样的大直径晶圆制造来源将是推动GaN技术主流商业应用的一个关键因素。保证供应对于功率放大器相关市场至关重要，如蜂窝基站。在EDI CON上，他们介绍了从硅二极管到GaAs MMIC、各种GaN产品和其他元件解决方案。

RichardsonRFPD所代理的公司很多耕耘在GaN领域，这包括Triquent、Nitronex、Mirosemi、Macom、Peregrine（派更）、Empower、United Monolithic等公司。其中Nitronex主推的是基于Si衬底的GaN，比如其48V GaN硅晶体管采用陶瓷、塑料封装，输出功率可达到41~50dBm，增益为16~19dB；而其他公司主推的都是基于SiC衬底的GaN产品。”产品应用经理史天任认为：“相对来讲，基于SiC的GaN产品性能会更好些，因为其具有高绝缘、高导热等特性，可承载恶劣的环境。”对于市场上对GaN技术的追捧，史天任认为：“移动通信设备商与运营商，追求的是更高的宽带、更大的功率和更高的效率，而GaN技术正好能满足这些需求，它可为通信设备带来小型化。中兴、华为早在5年前就已经开始研发GaN技术，希望未来能有技术突破。” 对于目前GaN技术发展的瓶颈，他认为：“现在GaN技术做不到LDMOS价格，不能大批量生产，随着节能的需求越来越高，未来2~3年对GaN技术会发展很快，但随着产量的增加，原材料成本会下降。”

Element Six( 元素六公司)针对射频和高功率密度IC制造需求，开发了金刚石基氮化镓晶圆GaN-on-Diamond Wafer)。公司介绍，新型高端CVD金刚石具有目前所知最高的热导率。在各类电子和电力领域中，累积的热量会破坏精密的电路或者严重影响机器性能的发挥，导致电子器件失效的原因超过50%是因为热问题，金刚石基氮化镓可降低芯片的工作温度，让制造商可以生产更小、更快和更高功率的电子器件。与碳化硅（SiC）基氮化镓相比，金刚石基氮化镓器件降低了40%的热阻，功率密度可达到前者的3倍。金刚石基氮化镓系统可应用在在蜂窝基站、雷达设备和卫星通信。TriQuint 半导体公司已经采用金刚石基氮化镓制造了业界第一支基于金刚石的氮化镓的高电子迁移率晶体管(HEMT)，能够实现3倍的输出功率,比现有最新GaN放大器尺寸小3倍的新一代RF功率放大器(PA)。人造金刚石不仅具有目前所知最高的热导率，还具有其他特性：最宽的电磁波透射范围，极好的电绝缘性能，通过掺杂又能够产生类似金属的导电性，低热膨胀系数，高电荷载流子迁移率，等等，这些特性使得人造金刚石在很多极端情况下具有天然优势，正在获得越来越广泛的应用。
AWR介绍并演示其即将发布的V11版本的NI AWR设计套件™。V11版本是2014年主要的首次发布，包括Microwave Office®/Analog Office®电路设计软件, Visual System Simulator™ (VSS)系统设计软件, AXIEM®三维平面电磁仿真软件和Analyst™三维有限元电磁仿真软件产品新特性、新功能和增强的功能。在301展位内的演示将展示V11的新特性和功能，特别是新的用户定制的PCell功能及在Analyst中的天线测量。