第八届电子设计创新大会（EDI CON China 2020）将于10月13-14 日在北京国家会议中心（CNCC）举办。活动包括由众多行业领先公司 参加的展览和技术会议，技术会议形式包括技术报告、研习会和大会主 旨演讲。会议代表还可以参加13日会后的欢迎晚宴。

对于卫星产业来说，这是一个激动人 心、充满活力的时刻。在轨卫星和 地面上的卫星天线数量迅速增加。新的 星群、对地同步轨道（GEO）、低地球 轨道（LEO）和中地球轨道（MEO）、 新的频段和现有频段的多重利用（HTS或 高吞吐量卫星）——都是卫星通信领域 的前沿。因此，潜在的信号干扰对于卫 星通信行业来说成为日益严峻的问题。

通常，在5G方面，射频前端领域最常被论及的是大规模多输入多输出（mMIMO）系统的部署与功 能、小型蜂窝基站的毫米波接收器、功率放大器的功率密度要求（如硅基功率放大器与GaN功率放大器的 比较）。然而，5G的关键性能指标还会对射频前端收发链路中的其他部件（尤其是振荡器）造成影响， 而其中的定时和同步要求催生出对更高精度振荡器的设计和制造需求。

射频前端（RFFE）的用电效率是所 有无线电产品的重要指标，无论 它们是用电池供电的还是用电源供电 的，较高的用电效率都很重要。对于电 池供电的器件和设备来说，最大程度地 降低其耗电量可以延长电池充电的时间 间隔；而对于用电源供电的设备，用电 效率则会对产品的更多特性产生影响， 例如设备的耗电量、设备的体积和重量 等。由于这些显而易见的原因，工程师 们发明了各种各样的射频放大器结构， 希望能把无线电发射机浪费的电量降低 到最低。不过，虽然各种方法都能不同 程度地起到提高放大器用电效率的作 用，但是其中有些方法是在无法实现的 工作模式上设计的，有的则没能充分利 用好器件的各种性能。

波束成形是一种相控阵技术，它使得移动通信基站能将更高的功率集中在用户设备（UE）的方向 上，从而提供更高的信噪比（SNR）和更高的数据速率。它还可以对来自干扰发射机的信号进行波束置 零，以有效地防止信号恶化，进而使得移动端可以与其他网络共享同一频谱并提高频谱效率。本文介绍了 一种为1.8GHz和2.6GHz频段设计并经过测试的八阵元线性单极子阵列。测试结果显示其波束指向能力、 零点和旁瓣抑制以及多波束成形等指标都达到了设计要求。

只有至少在一阶条件下其行为能够被 理解，才可能直观理解射频网络。 RLC（电阻、电感、电容）参数的提取 就可以有效帮助理解。例如，如果已知 低通滤波器的节点间存在一个0.1pF的有 效电容，或许能促成一个出色的设计： 节点间屏蔽带来更高的阻带隔离。图1所 示为一个三元件的500MHz巴特沃斯滤 波器的响应情况，对比展现了0.1pF杂散 电容与理想电感的效果。在4GHz以上， 隔离程度明显被杂散电容影响。

Ampleon的新型1200W功率晶体管 BLF978P是为粒子加速器系统中 使用的固态功率放大器（SSPA）开发 的。采用Ampleon最新的、高成本效 益的LDMOS工艺Gen9 50V技术制造， 使BLF978P能够提供高输出功率、出 色的效率和出色的可靠性。例如，在 352MHz频率下，该器件可以以1dB的增 益压缩提供1150W的连续波输出功率， 典型的漏极效率为76.7％。

Signal Hound的SM200C是一款高性能 频谱分析仪和监视接收器，具有10G 以太网（10GbE）SFP+端口，使仪器可 以使用光缆（而非USB）与PC进行长距 离通信，以进行数据传输和控制。

一些5G系统的制造商正在转向更高水平的硬件集成，并在 片上系统(SoC)设备中整合射频转换器和基带处理引擎， 以解决功耗和电路板空间问题。虽然这种集成有好处，但负责 这些系统表征的工程师面临着访问数据的新挑战，因为之前的 独立射频数据转换器现在将与FPGA和处理器在同一芯片上进 行组合。

尽管人们通常认为“滤波器就是滤波 器”，但实际上有多种不同的滤波 器可针对不同类型的用例解决不同的问 题，并带来不同的收益。依据滤波器在 产品设计中试图实现的不同目标，滤波 器可分为很多类型。在某些情况下，使 用一个滤波器（或多个滤波器的组合） 可以带来多重收益。本文专门关注Wi-Fi 滤波器，并采用在Qorvo使用的术语来 指定我们产品组合中的滤波器类型。下 列所述的三类滤波器都能增强整个Wi-Fi 系统的容量，在覆盖范围和吞吐量方面 提高系统性能，同时消除性能意外降低 的风险

ADI新推出的ADF5610是一款集成式锁相环(PLL)和压控振 荡器（VCO）。

Tecdia的薄膜片式电阻器使用氮化 钽材料，有与金线键合的电极。 通常选择氧化铝为基底，但当功率处理 要求较高时，氮化铝也是一种选择。为 了制造钽电镀层，用溅射机在氮气分压 环境中对其进行溅射。以这种方式，在 氧化铝基板上形成氮化钽薄膜（通常为 100nm）。