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 2021年11/12月刊
封面专题Cover Feature
使用片外无源器件尽可能提高GaN性能并降低成本
Using Off-Chip Passive Components to Maximize GaN Performance & Reduce Cost
技术特写 Technical Feature
应对电动汽车充电设备中的EMC挑战
Addressing EMC Challenges in Electric Vehicle Supply Equipment
一个具有双偏置结构的线性度改善的Doherty功率放大器
Improving Linearity of a Doherty Power Amplifier with a Dual-Bias Structure
通过提高效率来增加有线电视放大器的下行带宽和上行容量
How to Increase Downstream Bandwidth and Upstream Capabilities in CATV Amplifiers with Greater Efficiency
采用90nm富陷阱SOI-CMOS实现高温度稳定性和高线性度的K 波段功率放大器
K-Band Highly Linear Power Amplifier with Superior Temperature Stability in 90 nm Trap-Rich SOI-CMOS
平面短截线结构小型功率分配器
Miniaturized Power Divider with Planar Stub Structures
用于长距离毫米波回程链路的定向天线
A Steering Antenna for Long-Reach mmWave X-Haul Links
技术简讯 Tech Brief
技术简讯
Tech Brief
产品特写 Product Feature
用于高速数字测试的90GHz多同轴互连
90 GHz Multicoax Interconnect for High Speed Digital Testing
最新的6GHz示波器测试多天线和多域系统
Latest 6 GHz Oscilloscope Tests Multi-Antenna and Multi-Domain Systems
用频谱分析仪测量5G NR
Demystifying 5G NR Measurements with a Spectrum Analyzer
新品展示 New Products
新品展示
New Products
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与硅技术相比，GaN半导体降低了材料电容，提高了电子迁移率，从而 使传导损耗明显降低，开关时间大大加快，频率-温度和频率-电压特性更高。 众多实验室的测试一致表明，GaN的很 多性能优于其竞争技术，这加速了GaN 功率器件在众多应用中的部署。现在，全世界的工程师都在利用这些紧凑、损 耗低和开关快速的半导体来开发更小、 更轻、更可靠的系统，以扩展固态射频 电源设计的能力。