作为Cree公司射频产品在中国市场的代理商盛昌电子有限公司与Cree公司合作了近10年，“从最初的LDMOS产品做起，直到2004年，Cree宣布推出GaN技术的功放，2006年正式开始GaN技术的转型，盛昌电子一直是Cree在中国射频领域唯一的代理商。” 盛昌电子公司董事总经理周宝壹如是介绍。随着LTE市场的兴起，盛昌电子正积极将Cree的GaN技术向商业化通信基站市场推进。

 这主要是得益于GaN技术具有综合的优势，“无论是带宽、功率密度、效率方面都较LDMOS、GaAs技术具有无可比拟的优点。” 盛昌公司产品经理戴二红介绍：“GaN技术目前可课提供的最高频率为18GHz，功率密度是几百瓦，平均效率能超过80%。”这都是LDMOS、GaAs所不能做到的。虽然目前GaN技术在军工、航空航天领域应用广泛，但他认为：“随着成本的降低，产业化的过程日趋成熟，未来2、3年，GaN会广泛应用在商业化的通信市场中。”

 “新技术的推广总是面临三大问题：性能、成本与可靠性。” 他表示。业界对GaN技术在宽带、功率密度、效率方面都有统一的认同；此外，Cree的GaN产品已经有大量的商业出货，韩国的运营商已经在商业化通信市场中采用了GaN技术，对GaN技术的可靠性提供了证明；“现在，只是需要大规模商业化以及技术成熟度来降低GaN产品的成本。” 戴二红认为：“未来2~3年内，GaN的成本会从每瓦几美元下降到零点几美元。”

 目前，Cree GaN产品的最高频率能做到18GHz,Cree可提供的GaN产品是功率密度为120/180W，频率为2.5GHz；功率密度为45/90W ，频率为4G；6~25W、频率为6GHz的产品；其中，6GHz产品还未在中国实现商用化。公司除了提供模块，也提供芯片，同时提供Wafer给竞争对手。

 据悉，在GaN市场上，Cree公司提供市场上90%的Wafer。作为GaN技术领域的翘楚，戴二红认为：“这主要是源自Cree公司在GaN材料以及电路设计的技术积累。”作为LED芯片行业最大的厂商之一，Cree在GaN材料方面具有得天独厚的优势，除此之外，公司在电路设计方面经验丰富，“因此，Cree公司走在了GaN市场的前面。”

 同时，戴二红认为：“LTE市场的兴起，为GaN技术的发展提供广阔的市场规模。”相比较市场上的LDMOS产品，GaN产品只需要提供一个模块就可代替2~3个LDMOS模块，这是因为在1.8G~3GHz频率范围内，LDMOS需要提供分段产品才能满足这个频率范围的需求，而对于GaN技术来讲，只需要一个模块就可满足频率需求。

 他坦言，GaN技术存在材料成本的问题，但是对于效率的提高以及能耗的降低，从整个系统的运营成本来讲，GaN技术在成本方面可以重新考量，特别是随着出货量的增加，成本问题将很快得到解决。据悉，现在国内的科研院所已经开始了GaN技术的研发，为中国的本土化GaN技术进行前期的技术储备。“GaN技术在通信市场的发展步伐越来越大，进入市场的时间表也正越来越快。” 戴二红认为。