2014年1月，苏州能讯高能（Dynax）半导体正式发布了国内首款商用氮化镓（GaN）微波功放管DX1H2527150F。产品的推出打破了国外厂商在国内GaN射频器件市场一统天下的格局，使得中兴、华为等国内巨型通讯设备制造企业有了更多的中国自主品牌选择。

值得一提的是，能讯在2014年成功地固化了48V GaN功放芯片的设计和制造技术。能讯公司CEO张乃千博士（见左图）介绍：“众所周知，48V器件的性能明显优于28V的产品，但其制作难度远高于后者。它对外延材料、芯片设计和加工制作工艺都提出更为严苛的要求。全球GaN企业中推出48V产品的寥寥无几。而能讯半导体已成功地实现了这一重要突破。”
 
        与此同时，能讯还在2014年内经过激烈竞争，赢得部分国家级的GaN项目，“这些都是公司技术实力的展现。”张博士说。
 
     “能讯半导体专注于GaN微波功率器件。公司基于IDM商业模式打造了一套集GaN材料生长、器件设计、规模化生产、封装测试和应用为一体的完整系统。而世界上基于该模式运营的GaN企业和厂商屈指可数。得益于这种商业模式，公司各项资源得到了科学合理的有效整合及充分优化。”张博士介绍。
 
        此外，能讯具有高度的知识产权意识。张博士介绍：“能讯技术完全出自原创。迄今为止，公司已成功获得了46项国内专利和9项目国际专利。目前我们的管芯和器件产品在很多关键指标上已经可以和世界顶级GaN厂商的产品相媲美。”
 
        对于目前新兴的金刚石基GaN技术，张博士认为：“这种材料无疑可以使现有GaN外延材料的性能得到质的提升，进而使得器件的性能得到大幅改善，能讯对此项技术抱有浓厚的兴趣。但目前该技术还面临着技术尚不成熟，制造成本居高不下，短时间内难以普及等重大挑战。我们将做好现有产品的同时，密切关注该领域的发展并在为将来在高端领域的应用做好相应的准备。”
 
        张博士认为：“今年对于中国移动通讯市场将是承前启后的关键一年，4G移动通讯服务纷纷被推上前台，而支撑该服务的将是庞大的4G网络。为此，以中国移动为代表的3大运营商将加快其4G基站网络的大规模建设。得益于此，各大通信设备厂商都是订单爆满，对微波功率器件的需求呈现出爆炸性增长态势，这些都已导致传统的LDMOS产品已出现重大的供应缺口，这就为GaN器件的大规模市场进入提供了绝佳的契机。可以预言，GaN微波功率器件在2015年将迎来重大的发展，通讯设备厂商也将因此对GaN器件的性能提升产生更加深刻的认识。固态射频功率器件的GaN时代即将到来，而且会在未来的几年里蓬勃发展。”
 
         目前，GaN器件的技术优势已经被越来越多的系统厂商所认识，国内外各大通讯设备制造商纷纷组织其内部资源展开相关应用的研究并陆续推出了产品，其中已有一些厂商与能讯展开了积极的合作。张博士说：“能讯将牢牢抓住2015的良好发展契机，发挥自己的技术和产能优势，推出系列化产品以满足市场对GaN射频功放管产品的需求。能讯也将贴近客户，加强交流，不断优化和改进产品。我们还将充分施展自己作为本土企业的服务优势，灵活多变地为客户提供专业优质的实时技术支持与服务，为客户创造价值。”